2018年7月6日 · 硅光电池的照度特性 硅光电池的短路电流与照度关系当光照射硅光电池时,将产生一个由N区流向P区的光生电流 ... 中最高大的灵敏度对应的波长范围大概为1000nm左右,而实验中的最高大为300左右,因此只能看到特性曲线中的一段。
由图中可见,硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成： 1. 反偏工作状态,光电流与偏压、负载电阻几乎无关（在很大的动态范围内）； 2. 无偏工作状态,光电二极管的光电流随负载电阻变
一般用相对响应表示,实验中硅光电池的响应范围为400~1100nm,峰值波长为800~900nm,由于实验仪器所提供的波长范围为400~650nm,因此,实验所测出的光谱响应曲线呈上升趋势,如图2-9所示硅光电池频率特性曲线 。 "+""-"分别对应电流表的"正""负
(5)根据所测试得到的数据,绘出硅光电池的光谱特性曲线。 7、硅光电池时间响应特性测试 (1)组装好光通路组件, 将照度计与照度计探头输出正负极对应相连(红为正极, 黑为负 极), 将光源驱动及信号处理模块上 J2 与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。
2010年11月9日 · 光电池在不同的光照度下,光生电动势和光电流是不相同的。硅光电池的光电特性如图7-1-18所示。其中曲线1是负载电阻无穷大时的开路电压特性曲线,曲线2是负载电阻相对于光电池内阻很小时的短路电流特性曲线。
2023年9月4日 · 光电池在不同的光照度下,光生电动势和光电流是不相同的。硅光电池的光电特性如图7-1-18所示。其中曲线1是负载电阻无穷大时的开路电压特性曲线,曲线2是负载电阻相对于光电池内阻很小时的短路电流特性曲线。
图 3 为硅光电池的光谱特性曲线。 即相对灵敏度 Kr 和入射光波长 的关系曲线。从图 3 中可看出,硅光电池的有效范围 约在 450—1100 nm 之间。实验室给出六种不同的滤色片,透过各滤色
2010年4月2日 · 硅光电池特性测试实验报告-图2-8 硅光电池光照与负载特性曲线(5) 光谱特性一般光电池的光谱响应特性表示在入射光能量保持一定的条件下,光电池所产生短路电流与入射光波长之间的关系。一般用相对响应表示,实验中硅光电池的响应范围为400
2010年4月2日 · 一般用相对响应表示,实验中硅光电池的响应范围为400~1100nm,峰值波长为800~900nm,由于实验仪器所提供的波长范围为400~650nm,因此,实验所测出的光谱响应曲线呈上升趋势,如图2-9所示硅光电池频率特性曲线。
2017年3月30日 · 硅光电池的伏安特性曲线有什么特点？有一个最高佳吸收波长的范围,大于或小于的波长的光伏安曲线 都比较小。 百度首页 商城 注册 登录资讯 视频 图片 知道 文库 贴吧 采购 地图 更多 搜索答案 我要提问 硅光电池的伏安特性曲线有什么
2010年4月2日 · （7）根据上述实验所测试的数据,在同一坐标轴上描绘出硅光电池的负载特性曲线,并进行分析。 6、硅光电池光谱特性测试 当不同波长的入射光照到光电二极管上,光电二极管就有不同的灵敏度。 本实验仪采用高亮度LED（白、红、橙、黄、绿
1. 请利用硅光电池的伏安特性实验数据分析总结硅光电池的输出电阻与光照的关系。 硅光电池的负载特性 当硅光电池接上负载 R 时,硅光电池工作可以在反向偏置电压状态或无偏压状态。它 的伏安特性见图 2。由图中可见,硅光电池的伏安特性曲线由二个部分
2018年5月23日 · 硅光电池的光谱响应范围是400～1100nm,在使用时必须注意与入射光的波长相匹配, 以获得较高的光电子输出效率。 实验中经常通过测试硅光电池的相对灵敏度表征其光谱
2016年5月12日 · 图 3 不同温度下单晶硅电池 I-V 特性曲线 图 4 不同温度下单晶硅电池 P-V 特性曲线 表 3 标准光强探测器的相对光光谱响应 表 4 单晶硅电池片的光谱响应表 第 6 期 孙建起,王宁宁：单晶硅光伏电池基本特性参数研究 11 0.6 0.4 0.8 0.2 1.0 0 波长/nm 200 400 600 800 1
2007年11月8日 · 摘 要：采用溴钨灯作为光源,运用光栅单色仪选择不同频率的光照射硅太阳能电池,测得了不同波长光照时的短 路电流,通过与入射光强和光子能量相除,获得了硅太阳能电
图2-4.1硅光电池原理图 2、光电池基本特性 (1)光谱特性光电池对不同波长的光的灵敏度是不同的,如图2-4.2。 (2)光照特性光电池在不同光照度下,其光电流和光生电动势是不同的,它们之间的关系就是光照特性,如图2-4.3。 实验步骤 1、开路电压特性测试
硅光电池的光谱响应特性测试 先将可调光源的光强和电阻 RL 调至一定值,每次在一定的照度下,测出不同波长的入 射光下的响应电压,这里要求至少测出 8 个数据点,以绘出完整的响应特性曲线。
2012年4月24日 · 11 6、硅光电池光谱特性测试 当不同波长的入射光照到光电二 极管上,光电二极管就有不同的灵敏度。本实验仪采用高亮 度LED（白、红、橙、黄、绿、蓝、紫）作为光源,产生400～630nm 离散光谱。 光谱响应度是光电探测器对单色入射辐射的响应
2018年7月6日 · 硅光电池的灵敏度K为为硅光电池测得的光强,可用硅光电池的输出电压或电流表示。 硅光电池的相对灵敏度为为不同波长对应的最高大值。 实验中,光源的能量主要集中在红
a当不同波长的人时光照到硅光电池上,硅光电池就有不同的灵教度。 本实验仪采用高亮度LBD ... 负载电阻变化关系曲线称为硅光电池的伏安特性。其特性曲线如下图4-6所示: 检测电路图如下图4-7所示: (5)负载特性(输出特性)
2010年11月27日 · 设在波长为、辐射能通量一定的单色光（由单色仪获得）照射下,相对光 谱响应恒定的光谱热电偶和待测硅光电池的光电流分别为)( c i和)( x i,在光谱 热电偶和硅光电池的光照特性呈线性的条件下,光谱热电偶和硅光电池产生的 光电流与光源的光谱能量分布)(P、单色
2024年8月2日 · 硅光电池由于性能稳定、制作工艺成熟已得到了 广泛应用,尤其是在各种航天、应急通讯等领域,是重 要的能源供给器件。作为半导体器件,硅光电池的响 应输出特性容易受到外界因素的干扰,为了明确器件 的工作特性,激光干扰对光电池输出的影响也一直备 受关注。
图 3 为硅光电池的光谱特性曲线。即相对灵敏度 Kr 和入射光波长 的关系曲线。从图 3 中可看出,硅光电池的有效范围约在 450—1100 nm 之间。 实验室给出六种不同的滤色片,透过各滤色片光的波长见表 1。1. 实验中所用光源为发光二