2013年5月23日 · 电路如图所示,这个电路的PHOTO元件为一硅光电池,大概每100LUX光照强度可以产生1MV的电流,10K的电阻值改成100K欧,VOUT输出电压可达5V左右,强光照下。 需要回答本电路的原理,如何计算放大倍数,是根据硅光电池的电压放大还是电流放大。
2019年8月23日 · 硅光电池接收光源角度不同,可能导致其技术指标不同. 为了满足客户需要,深圳市龙信达科技有限公司的标准光源, 规定在A光源下,色温2854k±50k, 照度在10Lux~100Lux下进行测试。
2010年7月13日 · 摘要:通过对电荷放大器的理论分析和硅光电池的特性测试,利用硅光电池具有与压电晶体传感器高内阻、小功率, 电荷量输出相似的特性,提出了利用硅光电池组成用于测试电荷放大器性能的信号发生器,提高了测试电荷放大器频率
2017年5月11日 · 其中R2的作用是将电流信号放大20k倍。 电容C1的作用是使电路更加稳定,避免产生振铃现象（如下图右）。 但是C1过大又会导致上升时间变长
2014年6月3日 · 比较全方位面的系统地介绍了硅光电池对 光照探测的理论原理和应用基础,取材合适,深度适宜,在理论方面 力求简洁易懂,力求紧跟技术发展方向富有启发性。本文从可以发展 方向入手,系统的讲解了硅光电池的基本特性、基本应用和发展前 景。
2020年12月1日 · P M T 即光电倍增管, 它的工作流程为: 当光阴极受到光源照射的时候, 就会向真空当中发射出光电子, 射出的光电子在聚焦极电场的作用下运动到倍增系统当中, 经过二次发射以后倍增明显增大, 增大后的电子受电场力的作用运到到阳极, 阳极收集电子作为
2024年6月10日 · 偏置电压 (Vref) 用于防止当输入电流为 0A 时输出在负电源轨上达到饱和。 使用具有低偏置电流的 JFET 或 CMOS 输入运算放大器降低直流误差。 根据线性输出摆幅设置输出范围(请参阅 Aol 规格)。 选择增益电阻器。 选择满足电路带宽要求的反馈电容器。 2 × π ×1R1 × fp. (GBW)。 × + R1 > 计算 0.1V 偏置电压的偏置网络。 R2 = Vref 电压进行滤波。 产生的截止频
2018年7月5日 · 经典的硅光光学传感器是要配跨阻放大器来放大和进行电流转电压的转换。 • 轮胎夹缝中的小石头,要不要抠掉？ • 微芯有没有那种宽电压供电的芯片方案？ 外包| BLE 点对点传输音频协议,要求低延迟。 有收发端代码 预算：￥15000 2024-12-07. 光电池一般是电流信号,使用跨阻放大,噪声最高低。 没精确度要求的话,可以。 XCH已经回复你了.光电池的光-伏曲线是非线
2019年7月11日 · 硅光电池输入信号用万用表测出来在200uv-30mv之间变化,频率很低,直流采样（输入有隔直47UF的电容）,要求精确度不能大于1%,也就是采样精确度在200uv左右。