2019年9月26日 · 其中,最高受重视的是硅光电池,因为它有一系列优点,例如性能稳定、光谱范围宽、频率特性好、转换效率高、能耐高温辐射等。 根据阻挡层光电效应而工作的光电池,在有光线作用下,实质上就是 电源。 电路中有了这种光电元件就不再需要外加电源。 光电池的种类很多,有硒光电池、氧化亚铜光电池、硫化铊光电池、硫化镉光电池、锗光电池、硅光电池、砷化
高质量的锗衬底可用于聚光光伏（CPV）、外层空间太阳能电池板和高亮度发光二极管（LED）应用。 锗掺杂三价元素得到P型锗半导体,掺杂五价元素得到N型锗半导体。 它们具有高电子迁移率和高空穴迁移率。 中科瑞晶 (杭州)科技有限公司 (中科瑞晶,CasCrysTech, CCT) 提供新型激光晶体等光电功能材料、半导体和微电子衬底及靶材,提供材料加工及设备开发的技术服务。 ©
2019年9月26日 · 光电池的光谱特性 从曲线上可以看出,不同的光电池,光谱峰值的位置不同。例如,硅光电池在8000 A附近,硒光电池在5400 A附近。 硅光电池的光谱范围宽广,即为4500-11000 A之间；硒光电池的光谱范围为3400〜7500 A。
2003年4月7日 · 一种针对 TPV 优化的新型硅光电池的正面纹理带有矩形凹槽,带有垂直蒸发的接触指和背面反射镜,可将亚带隙辐射反射回发射器。Ge 光电池的带隙为 0.66 eV,可以通过选择性 Er2O3 发射器有效地照射。它们的效率低于使用低带隙 III/V 材料（如 GaSb）的光
锗元素制备的光电探测器具有高灵敏度和快速响应的特点。 其主要原理是在锗晶体中引入掺杂杂质,使其具有n型或p型的电子特性。 当光线照射在掺杂锗晶体上时,光子会激发电子跃迁,产生电子-空穴对。
目前国内外对太阳能电池的的研究主要集中在以锗晶片作基板的多结高效GaAs/Ge太阳能电池上,本文主要介绍了GaAs/Ge太阳能电池用锗单晶目前国内外的研究新进展,并对高效率太阳能电池用锗晶片的发展进行了展望。
硅太阳能电池由于光电转换效率低和温度特性差等因素,最高近几十年其在聚光光伏技术中并没有得到更大的发展,而砷化镓及相关Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳能电池因其高光电转换效率而越来越受到关注,尤其是用于空间电源.目前国内外对太阳能电池的的研究主要集中在以锗
2020年4月14日 · 在叠层电池的研究发展过程中,非晶硅锗主要作为中间电池或底电池,在诸多的研究中都有报道。 本文主要通过介绍不同研究机构的主要研究方向,阐述非晶硅锗电池的研究历史、研究问题以及发展方向。