2011年10月9日 · 硅光电池能直接变为电能,在一定的光照范围内,光 电池的光电流i与光照强度I成正比。 本实验用的是WJH型数字式检流计,以数字显示来检测光电 流。
当在观察屏位置处放上硅光电池和读数显微镜装置,与光点检流计相连的硅光电池可在垂直于衍射条纹的方向移动,那么光点检流计所显示出来的硅光电池的大小就与落在硅光电池上的光强成正比。
2023年4月10日 · 当光电池受光照射时,部分电子被激发而产生电子 空穴对,在结区激发的电子和空穴分别被势垒电场推向N 区和P 区,使N 区有过量的电子而带负电,P 区有过量
硅光电池能直接变为电能,在一定的光照范围内,光电池的光电流 与光照强度 成正比。 本实验用的是WJH型数字式检流计,以数字显示来检测光电流。 它是采用低漂移运算放大器、模/数转换器和发光数码管将光电流 进行处理,从而将光强 以数字显示出来。
2013年7月15日 · 光学带隙的简易方法, 给出了制备工艺和条件, 以及各种材料的隙态分布图. 实验发现, 材料的光学带隙宽度不但与 量子尺度效应有关, 而且与缺陷形成的势垒高度和宽度以及有序短程(原子串) 长度有关; 给出了常规硅材料的光学
衍射使光强在空间重新分布,本实验利用硅光电池等光电器件测量光强的相对分布,是一种常用的光强分布测量方法。 1.观察单缝衍射现象,加深对波的衍射理论的理解。 =0.047,0.017,0.008,…… (4) 式中K是暗条纹级数,D为单缝至屏之间的距离,x为第K级暗条纹距中央主极大中心位置距离。 用光的衍射可以测量细缝的宽度。 同理,如已知单缝的宽度,可以测量未知的光波长。 (3)然
2017年4月10日 · 硅光电池能直接变为电能,在一定的光照范围内,光电池的光电流i与光照强度I成正比。 本实验用的是WJH型数字式检流计,以数字显示来检测光电流。 它是采用低漂移运算放大器、模/数转换器和发光数码管将光电流a进行处理,从而将光强I以数字显示出来。
2009年8月22日 · 释系列微晶硅样品的带隙态分布,对其微结构由拉 曼散射谱和红外吸收谱进行表征,重点研究微晶硅 材料带隙态密度与薄膜界面相之间的关系*实验结
2013年8月17日 · 与光轴 平行的衍射光会聚于屏上 0 P处,是中央亮纹 的中心,其光强设为 0 I；与光轴成角的 衍射光束会聚于P 处,可以证明,P 处的 光强I 为 2 02 sin, sn i u IIu a u (1) 式中,a为狭缝宽度,为单色光的波长。