2013年5月1日 · 本发明涉及一种串联式单片集成多结薄膜太阳能电池的制造领域,这种制造方法,包括:使用分子束外延或者金属有机物化学气相沉积法在衬底上沉积至少包括自衬底往上生成且依次连接的隔离层、下接触层、隧道结、多结p-n结结构、顶接触层的多结p-n结串联的太阳
2021年5月6日 · 德国弗赖堡的弗劳恩霍夫太阳能系统研究所ISE再次创下新记录,其基于硅的III-V族单片三结太阳能电池的转换效率达到了35.9%。 新的单片三结太阳能电池,特别是III-V // Si串联太阳能电池,在地面AM1.5g光谱下测得转换效率为35.9%,创造了新的世界纪录,这证明了硅
2014年9月5日 · 本文介绍我们研制的键合三结太阳电池,在GaAs 和InP 衬底上分别外延生长GaInP/GaAs双结和InGaAsP 单结子电池, 通过键合技术将GaIn-P/GaAs 顶电池薄膜转移到InGaAsP 底电池上,键合界面之间的载流子输运将影响电池特性,最高后获得开路电压3 V, 效率24% 的三结电池,如果优化结构参数和制作工艺( 如做上减反射膜),效率还会有一定的提高.本文证实了
2024年7月27日 · 钙钛矿/硅串联太阳能电池是以合理的成本超越单结太阳能电池的肖克利-奎塞尔极限的最高有前途的途径之一。 值得注意的是,其效率已从 2015 年的 13.7% 迅速增加到 2024 年的 34.6%。
2024年8月26日 · 通常,单片集成钙钛矿/硅串联太阳能电池 (PSTSC) 的钙钛矿顶部电池工艺包括缓慢且昂贵的原子层沉积 (ALD),以生长氧化锡 (SnO x ) 缓冲层,以防止后续透明过程中的溅射损坏。
2018年9月27日 · 光电化学太阳能转换和电化学能量存储的单片集成为实际的太阳能利用提供了一种高效而紧凑的方法。 在这里,我们介绍了高效集成太阳能流电池（SFB）设备的设计原理和演示,其太阳能到输出的电效率达到了创纪录的14.1％。
2017年2月17日 · 近日,韩国蔚山国立科技研究所的李杉阳教授（通讯作者）在Energy & Environmental Sciences上发表了题为"Monolithically integrated, photo-rechargeable portable power sources based on miniaturized Si solar cells and printed solid-state lithium-ion batteries"的文章,文中介绍了一种新型的在小型晶体硅光伏电池（c-Si PVs）和打印固态锂离子电池上单
2011年12月28日 · 专利名称：单片集成太阳能模块和制造方法 技术领域： 本发明大体上涉及光伏电池,并且更特别地涉及单片集成碲化镉(CdTe)模块。 背景技术
2023年7月13日 · 多结全方位钙钛矿串联太阳能电池（A-PTSC）可以实现更高的功率转换效率（PCE）值,超越单结钙钛矿太阳能电池（PSC）的Shockley-Queisser极限。 然而,传统的二结串联器件架构仅使用衬底的一侧,因此两端（2-T）串联器件需要制备高质量且复杂的互连层（ICL）来连接两个子结-电池和四端 (4-T) 串联器件需要用于两个子电池的两个基板。 在这
2011年8月24日 · 本发明的主题一般地涉及太阳能电池,更具体地讲,涉及用于以单片方式把太阳能电池集成到太阳能电池组件(solar module)的系统和方法。 背景技术 ：