2018年7月6日 · 硅光电池的负载特性当硅光电池接上负载R时,硅光电池工作可以在反向偏置电压状态或无偏压状态。 它的伏安特性见图2。 由图中可见,硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成：反偏工作状态,光电流与偏压、负载电阻几乎无关（在很大的动态范围内）；无偏
当光照射硅光电池时,将产生一个由 N 区流向 P 区的光生电流Iph,同时由于 PN 结二 极管的特性,存在正向二极管管电流ID 。 此电流方向从 P 区到 N 区,与光生电流相反,因
2018年5月23日 · 硅光电池的光谱响应范围是400～1100nm,在使用时必须注意与入射光的波长相匹配, 以获得较高的光电子输出效率。 实验中经常通过测试硅光电池的相对灵敏度表征其光谱响应特性。
2 天之前 · 开路电压 V OC 是太阳能电池可用的最高大电压,这发生在零电流的情况下。 开路电压对应于由结与光生电流的偏置而产生的正向偏置量。 开路电压如下面的 IV 曲线所示。
2013年10月16日 · 在光电池的伏安特性曲线任一工作点上的 输出功率等于该点所对应的矩形面积,其 中只有一点是输出最高大功率,称为最高佳工 作点,该点的电压和电流分别称为最高佳工 作电压Vop和最高佳工作电流Iop。填充因子 定义为： FF = V op I op /V oc Isc= P max /V oc I sc
2017年9月19日 · 硅光电池的特性怎么求出短路电流和开路电压（1）由图（a）可知读出入射光强足够大时,开路电压恒定,大小为600V,即电动势为600mV,此时的短路电流为6A,则r= E I =10 Ω．（2）硅光电池的等效内阻等于开路电压除以